Поиск товара по названию или коду: |
|
|
|
|
|
Инфо: |
|
|
Курс:1.00 |
Курс б/н:1.06 |
|
Телефон: +7 (495) 133-95-90 |
|
|
|
|
|
|
SSD накопитель Samsung MZ-N6E1T0BW (форм-фактор 2280, емкость 1 ТБ, скорость чтения/записи 550 МБ/с / 520 МБ/с, интерфейс SATA 6Gb/s, объем буфера 1024 МБ, тип флэш-памяти V-NAND 3-bit MLC, контроллер Samsung MJX, потребляемая мощность 3 Вт, время наработки на отказ 1500000 ч, рекомендован для ноутбука и настольного компьютера, игровой, ШхДхВ 22х80х2.38 мм, вес: 8 г) - #2434273 |
|
|
На данный момент отсутствует |
|
|
MZ-N6E1T0BW
|
Фото:
1 2 3 |
Основные характеристики |
|
Брэнд |
SAMSUNG |
Модель |
MZ-N6E1T0BW |
Тип жесткого диска |
SSD |
Объем накопителя |
1 ТБ |
Форм-фактор |
M.2 2280 |
Объем кэш-памяти SSD |
1 ГБ |
Интерфейс |
SATA III |
Контроллер NAND |
Samsung MJX |
Тип памяти NAND |
V-NAND 3-bit MLC |
|
|
Скорость |
|
Максимальная скорость чтения |
550 МБ/с |
Максимальная скорость записи |
520 МБ/с |
Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) |
97000 |
Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) |
88000 |
|
|
Ресурс |
|
Ресурс TBW |
600 ТБ |
Время наработки на отказ |
1500000 ч |
|
|
Энергопотребление |
|
Потребляемая мощность |
4.5 Вт |
|
|
Особенности |
|
Толщина |
2.38 мм |
Особенности |
Тип NAND: Samsung V-NAND 3bit MLC |
|
|
Упаковка |
|
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ |
0.1x0.05x0.02 м |
Вес упаковки (ед) |
0.14 кг |
|
|
Дополнительные характеристики |
|
Гарантия |
60 мес. |
Страна производитель |
Корея, республика |
|
|
|
|